KSC5386TU

KSC5386TU. BE-Widerstand: 10. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: High Switching 0.1us. Maximaler hFE-Gewinn: 22. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 7A. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5386. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 4.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 13:25.