Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 10A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - MD1802FX

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NPN-Transistor, 10A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - MD1802FX. NPN-Transistor, 10A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kosten): 1pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungstransistor für CRT mit Standardauflösung. Maximaler hFE-Gewinn: 8.5. Minimaler hFE-Gewinn: 5.5. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 57W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 03:25.

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NPN-Transistor, 14A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 14A. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kosten): 1.6pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 64kHz. Funktion: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Produktionsdatum: 2014/17. Maximaler hFE-Gewinn: 8.5. Minimaler hFE-Gewinn: 6. Ic(Impuls): 21A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 62W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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