Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 10A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - MD1803DFX

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NPN-Transistor, 10A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - MD1803DFX. NPN-Transistor, 10A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kosten): 0.55pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungstransistor für CRT mit Standardauflösung. Maximaler hFE-Gewinn: 7.5. Minimaler hFE-Gewinn: 5.5. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 57W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Vebo: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 08:25.

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NPN-Transistor, 10A, TO-3PF, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: FAST-SWITCH. Maximaler hFE-Gewinn: 18. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 16A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 58W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Vebo: 7V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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