Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 1 | 12.98€ | 15.58€ |
2 - 2 | 12.33€ | 14.80€ |
3 - 4 | 12.07€ | 14.48€ |
5 - 9 | 11.68€ | 14.02€ |
10 - 14 | 11.42€ | 13.70€ |
15 - 19 | 11.04€ | 13.25€ |
20+ | 10.65€ | 12.78€ |
Menge | U.P | |
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1 - 1 | 12.98€ | 15.58€ |
2 - 2 | 12.33€ | 14.80€ |
3 - 4 | 12.07€ | 14.48€ |
5 - 9 | 11.68€ | 14.02€ |
10 - 14 | 11.42€ | 13.70€ |
15 - 19 | 11.04€ | 13.25€ |
20+ | 10.65€ | 12.78€ |
NPN-Transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V - MJ11015G. NPN-Transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorstrom: 30A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Hinweis: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ11016. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.
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