Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren

MJE210G

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MJE210G. Kosten): 120pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 65MHz. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 25V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE200. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 10:25.

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Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -4A. Leistung: 15W. Max Frequenz: 40 MHz. Gehäuse: TO-126. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung, Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE243. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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