MJW21195

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 1	7.16€	8.59€
2 - 2	6.80€	8.16€
3 - 4	6.44€	7.73€
5 - 9	6.09€	7.31€
10 - 19	5.94€	7.13€
20 - 29	5.80€	6.96€
30 - 157	5.58€	6.70€

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Set mit 1

MJW21195. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Hervorragende Verstärkungslinearität. Produktionsdatum: 2015/04. Maximaler hFE-Gewinn: 80. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJW21196. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 23:25.

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