NPN-Transistor, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V - MMBT3904LT1G

NPN-Transistor, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V - MMBT3904LT1G. NPN-Transistor, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Lötung (SMD). C(in): SOT-23. Kosten): 1.6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: UNI. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1AM. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. Spec info: SMD 1AM. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Originalprodukt vom Hersteller Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 22:25.