NPN-Transistor, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v - MPSA14

NPN-Transistor, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v - MPSA14. NPN-Transistor, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 125 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 10000. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Darlington-Transistor. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 07:25.