Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

MUR160

MUR160
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MUR160. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 35A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterdiode zum Schalten der Stromversorgung. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--35App. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 08:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Recovery“. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Recovery“. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V
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