Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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MUR480E

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MUR480E. Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 70A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05. VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. MRT (maximal): 900uA. MRT (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR480E. Äquivalente: MUR480ERLG. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.85V. Durchlassspannung Vf (min): 1.53V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 17:25.

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MUR4100E
Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 70A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR4100E. Äquivalente: MUR4100ERLG. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.85V. Durchlassspannung Vf (min): 1.53V
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Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 70A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR4100E. Äquivalente: MUR4100ERLG. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.85V. Durchlassspannung Vf (min): 1.53V
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