N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.7 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-10U1B. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 1350pF. Kosten): 135pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 30Ap. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K8A65D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVII). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v

N-Kanal-Transistor, 0.3A, 0.3A, 2.3 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. ID (T=25°C): 0.3A. IDSS (max): 0.3A. Einschaltwiderstand Rds On: 2.3 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 240V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikebene. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: 9.31k Ohms

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), PDFN56, 40V, 161A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PDFN56. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 58 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 7150pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 136W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), PDFN56, 40V, 161A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PDFN56. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6435pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 136W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), PDFN56, 40V, 121A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PDFN56. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 3 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 47 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4456pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 107W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), PDFN56, 40V, 121A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PDFN56. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 35 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5022pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 107W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), PDFN56, 60V, 104A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PDFN56. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 56 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6870pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 136W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), PDFN56, 60V, 107A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PDFN56. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 78 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6253pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 136W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 20V, -6A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 0.6V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.1 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21.8 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 562pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.6W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 0.47A, 0.47A, 3 Ohms, 60V. ID (T=25°C): 0.47A. IDSS (max): 0.47A. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Technologie: V-MOS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 70V, 10A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: VNB10N07. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 100 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 900ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +135°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 42V, 14A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: VNB14N04. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 7A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 120ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 500 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +135°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 70V, 35A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: VNB35N07-E. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 200 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 800 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +135°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 42V, 49A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: VNB49N04. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 600 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 2400 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +135°C

N-Kanal-Transistor, 1.7A, 75uA, 0.25 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. ID (T=25°C): 1.7A. IDSS (max): 75uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 45V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. IDss (min): 30uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 1NV04P. Pd (Verlustleistung, max): 7W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

N-Kanal-Transistor, 10A, 200uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220, 70V. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 70V. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 125 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Vollständig automatisch geschützter Power-Mosfet. G-S-Schutz: Zenerdiode. Id(imp): 14A. IDss (min): 50uA. IGF: 50mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: Lineare Strombegrenzung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 230 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: OMNIFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C

N-Kanal-Transistor, 20A, 200uA, 0.05 Ohms, TO-220, TO-220AB, 70V. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.05 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 70V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Vollständig automatisch geschützter Power-Mosfet. IDss (min): 50uA. Pd (Verlustleistung, max): 83W. RoHS: ja. Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: OMNIFET. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 83W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +135°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, MOSFET, 70V, 35A, 70V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): MOSFET. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Spannung Vds(max): 70V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: VNP35N07. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 200 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 1000 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 100 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +135°C. Verwendet für: Ilim= 35A IR= -50A. Vin-Eingangsspannung (max): 18V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 70V, 5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: VNP5N07-E. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 2.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 100 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 250 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 31W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +135°C

N-Kanal-Transistor, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 75uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.12 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 45V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 107ns. Transistortyp: MOSFET. IDss (min): 30uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code S3NV04DP. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: S3NV04DP. Pd (Verlustleistung, max): 4W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 450 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 650V, 38A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 38A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.099 Ohms @ 15A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 53 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 193 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2940pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 277W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 10A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Advanced Power MOSFET

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: ZVN3306F. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 6 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 35pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.33W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 0.18A. IDSS (max): 0.18A. Einschaltwiderstand Rds On: 10 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikebene. Pd (Verlustleistung, max): 0.7W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

N-Kanal-Transistor, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.13 Ohms. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 70V. C(in): 298pF. Kosten): 35pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 10A. IDss (min): 0uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 11.5 ns. Td(on): 1.9 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-MOSFET“. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V