N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.72 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 3500pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 964ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Verbesserte ESD-Fähigkeit. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W12NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 88 ns. Td(on): 31 ns. Technologie: SuperMESH™ Leistungs-MOSFET-Transistor, geschützt durch Zenerdiode. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, TO-247, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, 600V, 0.55 Ohms, 600V. Gehäuse: TO-247. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 50mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 600V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Drain-Source-Spannung (Vds): 600V. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 40A. IDss (min): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W13NK60Z. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 61 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 13A. Leistung: 150W. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 7.6A, 14A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, TO-247, 500V. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 50mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 2000pF. Kosten): 238pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 470 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 48A. IDss (min): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W14NK50Z. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 0.55 Ohms, TO-247, 900V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Gehäuse: TO-247. Drain-Source-Spannung (Vds): 900V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 15A. Leistung: 350W

N-Kanal-Transistor, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 10.71A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 100nA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1630pF. Kosten): 750pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 68A. IDss (min): 10nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 18NM80. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 500V, 17A, 0.23 Ohms, TO-247, 500V, 30. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 500V. Gehäuse (JEDEC-Standard): 30. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: W20NK50Z. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 28 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2600pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 500V, 20A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: W20NM50FD. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 22 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1380pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 214W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.26 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1450pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 510 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W20NM60. Pd (Verlustleistung, max): 214W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.135 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1800pF. Kosten): 115pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 450 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 26NM60N. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Gewicht: 4.51g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 13 ns. Td(on): 85 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 1440pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 28N65M2. Pd (Verlustleistung, max): 170W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 59 ns. Td(on): 13.4 ns. Technologie: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 21A, 34A, 10uA, 0.62 Ohms, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 34A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.62 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 2400pF. Kosten): 650pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 290 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PowerMESH™ MOSFET. Id(imp): 136A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W34NB20. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 17 ns. Td(on): 30 ns. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: Schaltnetzteile SMPS, DC-AC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 22A, 35A, 35A, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. IDSS (max): 35A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Pd (Verlustleistung, max): 255W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: MDmesh II. Funktion: Idm--140Ap(pulsed). Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 22A, 35A, 100uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 4300pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 140A. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 43NM60ND. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 255W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 120ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh II. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Niedriger Gate-Eingangswiderstand. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 45A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 3800pF. Kosten): 1250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 508 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 180A. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W45NM60. Pd (Verlustleistung, max): 417W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.6A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.3 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 1250pF. Kosten): 128pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 700 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 22.4A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 13 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.7 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 1000V. C(in): 1154pF. Kosten): 106pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 605 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 14A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W5NK100Z. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 51.5 ns. Td(on): 22.5 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.56 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 840 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 23.2A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W7NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 950 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 32A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W9NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. IDSS (max): 15A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.05 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 30A. Pd (Verlustleistung, max): 37W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Anzahl der Terminals: 3. Technologie: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 30 v, 75A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SUP75N03-04. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 190 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 10742pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 187W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 85A. ID (T=25°C): 85A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.003 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 3535pF. Kosten): 680pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 41 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 78W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: TrenchFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Netzteil, DC/DC-Wandler. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F-3FS. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 430V. C(in): 5500pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Germaniumdiode: Suppressor. Kollektorstrom: 240A. Ic(Impuls): 240A. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 46 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 3.6V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 33V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Verschiedenes: Blitz, Stroboskopsteuerung. Technologie: Enhancement type. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). CE-Diode: NINCS

N-Kanal-Transistor, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.22 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 2600pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1700 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Id(imp): 80A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K20J50D. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 280W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: Feldeffekt-POWER-MOS-Typ (MOSVII). Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 800pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K6A60D. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Betriebstemperatur: -...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 1050pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 1300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltregler. Id(imp): 24A. IDss (min): 10uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS