N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 800V, 5.2A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P7NK80Z. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1138pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V, 1.8 Ohms, 800V. Gehäuse: TO-220FP. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. Einschaltwiderstand Rds On: 1.8 Ohms. Drain-Source-Spannung (Vds): 800V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. Id(imp): 20.8A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P7NK80ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Vgs(th) min.: 3.75V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 5.2A. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0065 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 3850pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 320A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P80NF06. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 100V, 80A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P80NF10. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 40A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 26 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 116 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.013 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 120V. C(in): 4300pF. Kosten): 600pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 155 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 320A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P80NF12. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 134 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0065 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 3850pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 320A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Motorsteuerung, Audioverstärker. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V. ID (T=100°C): 68A. ID (T=25°C): 98A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0098 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 68V. C(in): 2550pF. Kosten): 550pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 392A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 80NF70. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V. ID (T=100°C): 4.3A. ID (T=25°C): 6.8A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 700V. C(in): 2350pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 680 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Id(imp): 27A. IDss (min): 1uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(on): 30 ns. Technologie: PowerMESH™III MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.3 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220FP. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1320pF. Kosten): 143pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 24.8A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P8NK80ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 48 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PowerMesh. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220, TO-220AC, 500V. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.72 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 910pF. Kosten): 125pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 238 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P9NK50Z. Pd (Verlustleistung, max): 110W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.72 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 910pF. Kosten): 125pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 238 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P9NK50ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1110pF. Kosten): 135pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 480 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. IDss (min): 1us. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 600V, 7A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P9NK60Z. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.95 Ohms @ 3.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 19 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1100pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1110pF. Kosten): 135pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 480 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P9NK60ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 950 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 32A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P9NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V. ID (T=100°C): 0.189A. ID (T=25°C): 0.3A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 13 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92Ammopak. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 94pF. Kosten): 17.6pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 135 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 1.2A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1NK60ZR. Pd (Verlustleistung, max): 3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 13 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Zener-geschützt, ESD-verbesserte Fähigkeit. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Kanaltyp: N. Funktion: 2xN-CH 60V. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Menge pro Karton: 2

N-Kanal-Transistor, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.65 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1370pF. Kosten): 156pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W10NK60Z. Pd (Verlustleistung, max): 156W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.78 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 2180pF. Kosten): 205pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 645 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W10NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 800V, 9A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: W10NK80Z. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 4.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 65 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2180pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 1000V. C(in): 3500pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 560 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Extrem hohe DV/DT-Fähigkeit, Schaltanwendungen. Id(imp): 33.2A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W11NK100Z. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 98 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 1 kV, 8.3A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: W11NK100Z. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.38 Ohms @ 4.15A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 27 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 98 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 230W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.82 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 3000pF. Kosten): 240pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 584 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: ZenerProtect. Id(imp): 36.8A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W11NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 76 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMesh PpwerMOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 6.6A, 10.5A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.65 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 2620pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 635 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Verbesserte ESD-Fähigkeit. Id(imp): 42A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W12NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH™ Leistungs-MOSFET-Transistor, geschützt durch Zenerdiode. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja