N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 4A, 4A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 4A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SuperMESH

N-Kanal-Transistor, 1.89A, 3A, 3A, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 3A. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SuperMESH

N-Kanal-Transistor, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.019 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 3050pF. Kosten): 380pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 220A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P55NE06. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 130W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(on): 30 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 60V, TO220. Vdss (Drain-Source-Spannung): 60V. Gehäuse: TO220. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Polarität: MOSFET N. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 50A. Antriebsspannung: 10V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Montageart: THT

N-Kanal-Transistor, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 1700pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 220A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P55NF06L. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 95W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40ms. Td(on): 20ms. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1.7V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 1 kV, 3.5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P5NK100Z. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1154pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 3.6A, 5A, 50uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 690pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 485 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 20A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P5NK60ZFP. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Spec info: -55°C...+150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+ °C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.9 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 910pF. Kosten): 98pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 17.2A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P5NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.9 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 17.2A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P5NK80ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. C(in): 910pF. Kosten): 98pF. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET

N-Kanal-Transistor, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 1810pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 73ms. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 240A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 110W. RoHS: ja. Spec info: Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 60V, 60A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P60NF06L. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 35 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 55 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 62A. IDSS: 0.01mA. IDSS (max): 62A. Einschaltwiderstand Rds On: 12.5m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 33V. C(in): 1330pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: vollständig geschützt. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 248A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P62NS04Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 110W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 41 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 10V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v

N-Kanal-Transistor, 42A, 60A, 10uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0115 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 1700pF. Kosten): 400pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 240A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P65NF06. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 110W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, TO-220, TO-220, 600V, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 47 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. C(in): 905pF. Kosten): 115pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 445 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P6NK60Z. Pd (Verlustleistung, max): 104W

N-Kanal-Transistor, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 905pF. Kosten): 115pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 445 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 24A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P6NK60ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 47 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V

N-Kanal-Transistor, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.56 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 840 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 23.2A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P6NK90Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.56 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 840 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 23.2A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P6NK90ZFP. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, TO-220, 75V. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0095 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 75V. C(in): 3700pF. Kosten): 730pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 132 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 320A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P75NF75. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 66 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 6.5A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PowerMesh

N-Kanal-Transistor, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1138pF. Kosten): 122pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 530 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 20.8A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P7NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Zener-Protected. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 800V, 5.2A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P7NK80Z. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1138pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1138pF. Kosten): 122pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 530 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 20.8A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P7NK80ZFP. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Vgs(th) min.: 3.75V

N-Kanal-Transistor, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0065 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 3850pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SWITCHING APPLICATION. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 320A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P80NF06. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 100V, 80A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P80NF10. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 40A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 26 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 116 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.013 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 120V. C(in): 4300pF. Kosten): 600pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 155 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 320A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P80NF12. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 134 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V