Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V - STP55NE06

N-Kanal-Transistor, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V - STP55NE06
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N-Kanal-Transistor, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V - STP55NE06. N-Kanal-Transistor, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.019 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 3050pF. Kosten): 380pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 220A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P55NE06. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 130W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(on): 30 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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