Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V, 1.8 Ohms, 800V - STP7NK80ZFP

N-Kanal-Transistor, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V, 1.8 Ohms, 800V - STP7NK80ZFP
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N-Kanal-Transistor, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V, 1.8 Ohms, 800V - STP7NK80ZFP. N-Kanal-Transistor, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V, 1.8 Ohms, 800V. Gehäuse: TO-220FP. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. Einschaltwiderstand Rds On: 1.8 Ohms. Drain-Source-Spannung (Vds): 800V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. Id(imp): 20.8A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P7NK80ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Vgs(th) min.: 3.75V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 5.2A. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 18:25.

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STP8NK80ZFP

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