Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

MBR1045

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MBR1045. Vorwärtsstrom (AV): 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 45V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: B1045. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Originalprodukt vom Hersteller Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 22:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 60V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 0.1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B1060. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V
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Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 60V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 0.1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B1060. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V
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