N-Kanal-Transistor, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V - SUD15N06-90L
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.44€ | 4.13€ |
| 5 - 9 | 3.26€ | 3.91€ |
| 10 - 24 | 3.16€ | 3.79€ |
| 25 - 49 | 3.09€ | 3.71€ |
| 50 - 99 | 3.02€ | 3.62€ |
| 100 - 249 | 2.92€ | 3.50€ |
| 250+ | 2.82€ | 3.38€ |
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N-Kanal-Transistor, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V - SUD15N06-90L. N-Kanal-Transistor, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. IDSS (max): 15A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.05 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 37W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level. Originalprodukt vom Hersteller Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 17:25.
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N-Kanal-Transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 370pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 68A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19 ns. Td(on): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
N-Kanal-Transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 370pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 68A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19 ns. Td(on): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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