Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRFR9024N

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IRFR9024N. C(in): 350pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 47 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.175 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 23 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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