Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren FET- und MOSFET-Transistoren

P-Kanal-Transistor, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRFR9024N

P-Kanal-Transistor, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRFR9024N
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P-Kanal-Transistor, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRFR9024N. P-Kanal-Transistor, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 350pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 47 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 8A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.175 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 23 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon (irf). Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 22:25.

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IRFU9024N

IRFU9024N

P-Kanal-Transistor, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=25°C): 11A. IDSS (...
IRFU9024N
P-Kanal-Transistor, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 350pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 47 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 8A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.175 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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P-Kanal-Transistor, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 350pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 47 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 8A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.175 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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