Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, TO-220FP, 3.6 Ohms, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, 600V, 600V - STP3NK60ZFP

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N-Kanal-Transistor, TO-220FP, 3.6 Ohms, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, 600V, 600V - STP3NK60ZFP. N-Kanal-Transistor, TO-220FP, 3.6 Ohms, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, 600V, 600V. Gehäuse: TO-220FP. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6 Ohms. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS (max): 2.4A. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. Drain-Source-Spannung (Vds): 600V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 2.4A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 21:25.

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N-Kanal-Transistor, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.8 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 10A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F3NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja
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