Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V - 2N7000

N-Kanal-Transistor, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V - 2N7000
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10 - 24 0.13€ 0.16€
25 - 49 0.13€ 0.16€
50 - 99 0.12€ 0.14€
100 - 249 0.11€ 0.13€
250 - 499 0.0948€ 0.1138€
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N-Kanal-Transistor, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V - 2N7000. N-Kanal-Transistor, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. IDSS (max): 1000uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): O-92Ammo-Pack. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 60pF. Kosten): 25pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 0.5A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2n7000. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gewicht: 0.18g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Originalprodukt vom Hersteller Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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2N7000-ONS

2N7000-ONS

N-Kanal-Transistor, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. IDSS (max): 1000uA....
2N7000-ONS
N-Kanal-Transistor, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. IDSS (max): 1000uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 60pF. Kosten): 25pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 0.5A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2n7000. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gewicht: 0.18g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V
2N7000-ONS
N-Kanal-Transistor, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. IDSS (max): 1000uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 60pF. Kosten): 25pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 0.5A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2n7000. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Gewicht: 0.18g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V
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