N-Kanal-Transistor, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V - 2SK2251-01
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 17.14€ | 20.57€ |
| 2 - 2 | 16.28€ | 19.54€ |
| 3 - 4 | 15.43€ | 18.52€ |
| 5 - 9 | 14.57€ | 17.48€ |
| 10 - 14 | 14.23€ | 17.08€ |
| 15 - 19 | 13.88€ | 16.66€ |
| 20+ | 13.37€ | 16.04€ |
| Menge | U.P | |
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| 1 - 1 | 17.14€ | 20.57€ |
| 2 - 2 | 16.28€ | 19.54€ |
| 3 - 4 | 15.43€ | 18.52€ |
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N-Kanal-Transistor, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V - 2SK2251-01. N-Kanal-Transistor, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 2A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 250V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: FAP-IIA Series. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 08:25.
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N-Kanal-Transistor, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 2A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 250V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: FAP-IIA Series
N-Kanal-Transistor, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 2A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 250V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: FAP-IIA Series
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