N-Kanal-Transistor AIMW120R035M1HXKSA1, 1200V, 0.035 Ohms, TO-247AC

Menge

Stückpreis

1-1

39.22€

2-2

36.83€

3-3

34.97€

4-4

33.13€

5-9

31.75€

10-29

31.18€

30+

31.16€

Menge auf Lager: 27

N-Kanal-Transistor AIMW120R035M1HXKSA1, 1200V, 0.035 Ohms, TO-247AC. Drain-Source-Spannung (Vds): 1200V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.035 Ohms. Gehäuse: TO-247AC. Eingebaute Diode: ja. Kanaltyp: N. Leistung: 228W. Maximaler Drainstrom: 52A. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 12:59

Technische Dokumentation (PDF)

AIMW120R035M1HXKSA1

9 Parameter

Drain-Source-Spannung (Vds)

1200V

Einschaltwiderstand Rds On

0.035 Ohms

Gehäuse

TO-247AC

Eingebaute Diode

Kanaltyp

Leistung

228W

Maximaler Drainstrom

52A

Transistortyp

MOSFET-Leistungstransistor

Originalprodukt vom Hersteller

Infineon Technologies