Einschaltwiderstand Rds On
3 Ohms
Drain-Source-Spannung Uds [V]
500V
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
65 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
675pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
2.4A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
3 Ohms @ 2.4A
Einschaltzeit ton [nsec.]
12 ns
Funktion
N-MOSFET-Transistor
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
4 v
Herstellerkennzeichnung
BUZ74
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
40W
Pd (Verlustleistung, max)
40W
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies