N-Kanal-Transistor BUZ74, TO-220AB, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V, 500V

N-Kanal-Transistor BUZ74, TO-220AB, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
1.49€
5-49
1.23€
50-99
1.06€
100+
0.98€
Gleichwertigkeit vorhanden
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N-Kanal-Transistor BUZ74, TO-220AB, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V, 500V. Gehäuse: TO-220AB. ID (T=100°C): 1.5A. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS (max): 2.4A. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 65 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 675pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 2.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.4A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: BUZ74. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: nein. Technologie: V-MOS. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:57

Technische Dokumentation (PDF)
BUZ74
27 Parameter
Gehäuse
TO-220AB
ID (T=100°C)
1.5A
ID (T=25°C)
2.4A
IDSS (max)
2.4A
Einschaltwiderstand Rds On
3 Ohms
Drain-Source-Spannung Uds [V]
500V
Spannung Vds(max)
500V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
65 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
675pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
2.4A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
3 Ohms @ 2.4A
Einschaltzeit ton [nsec.]
12 ns
Funktion
N-MOSFET-Transistor
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
4 v
Herstellerkennzeichnung
BUZ74
Kanaltyp
N
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
40W
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
40W
RoHS
nein
Technologie
V-MOS
Transistortyp
MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies

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