Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V - BUZ80AF

N-Kanal-Transistor, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V - BUZ80AF
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N-Kanal-Transistor, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V - BUZ80AF. N-Kanal-Transistor, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.1A. IDSS (max): 2.1A. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Spannung Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Hinweis: <100/220ns. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Technologie: V-MOS (F). Originalprodukt vom Hersteller --. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 06:25.

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N-Kanal-Transistor, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 700pF. Kosten): 95pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 16A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
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N-Kanal-Transistor, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 700pF. Kosten): 95pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 16A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
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