N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V - FQA9N90C-F109

N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V - FQA9N90C-F109. N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.12 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 2100pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FQA9N90C. Pd (Verlustleistung, max): 280W. RoHS: ja. Gewicht: 4.7g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 12:25.