Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 35.4A, 50A, 10uA, 0.018 Ohms, TO-220, TO-220, 60V - FQP50N06

N-Kanal-Transistor, 35.4A, 50A, 10uA, 0.018 Ohms, TO-220, TO-220, 60V - FQP50N06
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N-Kanal-Transistor, 35.4A, 50A, 10uA, 0.018 Ohms, TO-220, TO-220, 60V - FQP50N06. N-Kanal-Transistor, 35.4A, 50A, 10uA, 0.018 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 35.4A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.018 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 1180pF. Kosten): 440pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 52 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 200A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 120W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

Technische Dokumentation

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