Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 60V, 50A, TO-220, 60V, 1 - FQP50N06

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 60V, 50A, TO-220, 60V, 1 - FQP50N06
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N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 60V, 50A, TO-220, 60V, 1 - FQP50N06. N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 60V, 50A, TO-220, 60V, 1. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQP50N06. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 40 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1540pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 120W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 12:25.

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