N-Kanal-Transistor FQPF4N90C, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

N-Kanal-Transistor FQPF4N90C, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Menge
Stückpreis
1-4
2.01€
5-24
1.80€
25-49
1.60€
50-99
1.47€
100+
1.31€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 34

N-Kanal-Transistor FQPF4N90C, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.5 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 740pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 17 nC, niedriger CrSS 5,6 pF. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 16A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 65pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 47W. RoHS: ja. Td(off): 40 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: DMOS, QFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 450 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FQPF4N90C
31 Parameter
ID (T=100°C)
2.3A
ID (T=25°C)
4A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
3.5 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
900V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
740pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 17 nC, niedriger CrSS 5,6 pF
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
16A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
65pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
47W
RoHS
ja
Td(off)
40 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
DMOS, QFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
450 ns
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild

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