Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1010N

N-Kanal-Transistor, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1010N
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N-Kanal-Transistor, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1010N. N-Kanal-Transistor, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.11 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 3210pF. Kosten): 690pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 69 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 290A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Verwendet für: -55...+175°C. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 19:25.

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