Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRFZ44V

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IRFZ44V. C(in): 1812pF. Kosten): 393pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Einschaltwiderstand Rds On: 16.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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C(in): 1810pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 73ms. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 240A. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Kosten): 360pF. Spec info: Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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