Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRF9510PBF

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IRF9510PBF. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF9510PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 43W. Td(on): 10 ns. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 22:25.

Technische Dokumentation

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IRF9520N
C(in): 350pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.8A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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C(in): 350pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.8A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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C(in): 390pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 98 ns....
IRF9520
C(in): 390pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 98 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 6.8A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.6 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 21 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS
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