Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 200V - IRF630B

N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 200V - IRF630B
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N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 200V - IRF630B. N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 36A. Pd (Verlustleistung, max): 72W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: N-Channel MOSFET. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 22:25.

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IRF630

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N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 50, 200V, 9A, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Gehäuse: P...
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N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 50, 200V, 9A, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): 50. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.35 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 200V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF630. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 540pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MESH OVERLAY MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 50, 200V, 9A, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): 50. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.35 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 200V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF630. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 540pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MESH OVERLAY MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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