Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V - IRFD123

N-Kanal-Transistor, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V - IRFD123
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N-Kanal-Transistor, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V - IRFD123. N-Kanal-Transistor, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=100°C): 0.94A. ID (T=25°C): 1.3A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 360pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 10A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 18 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 23/04/2025, 09:25.

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