N-Kanal-Transistor MBQ60T65PES, 650V, 60A, TO-247, TO-247

Technische Produktbeschreibung (MBQ60T65PES):

Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 650V. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Gehäuse: TO-247. Germaniumdiode: nein. RoHS: ja. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: ja. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Kanaltyp: N. Technologie: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Td(off): 142ns. Td(on): 45 ns. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Ic(Impuls): 180A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 60T65PES. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Pd (Verlustleistung, max): 535W. Konditionierung: Kunststoffrohr. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Kollektorstrom: 100A. Konditionierungseinheit: 30