Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - SPP08N80C3

N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - SPP08N80C3
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N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - SPP08N80C3. N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.56 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1100pF. Kosten): 46pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstrombelastbarkeit“. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 24A. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 08N60C3. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 104W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 15/06/2025, 06:25.

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