Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - SPP17N80C2

N-Kanal-Transistor, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - SPP17N80C2
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N-Kanal-Transistor, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - SPP17N80C2. N-Kanal-Transistor, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Id(imp): 51A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SPP17N80C2. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Cool Mos. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

Technische Dokumentation

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SPP17N80C3

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