NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 350V - 2N3439

NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 350V - 2N3439. NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 350V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: S/VID. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxialer planarer NPN-Transistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 450V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 7V. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 00:25.