NPN-Transistor, TO-92, TO-92, 40V, 100mA - 2N3904

NPN-Transistor, TO-92, TO-92, 40V, 100mA - 2N3904. NPN-Transistor, TO-92, TO-92, 40V, 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Kollektorstrom: 100mA. RoHS: ja. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxial-Planar-Die-Konstruktion“. Tf(max): 75 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. C(in): 8pF. Kosten): 4pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Schalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.