NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 200V - 2N5415

NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 200V - 2N5415. NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 200V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. C(in): 75pF. Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 4 v. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 01:25.