NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 150V - 2SA1123

NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 150V - 2SA1123. NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 150V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 220. Minimaler hFE-Gewinn: 130. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1123. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxie-Planertyp“. Transistortyp: PNP. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 08:25.