NPN-Transistor, 0.05A, 2-8H1A, 150V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - 2SA1360

NPN-Transistor, 0.05A, 2-8H1A, 150V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - 2SA1360. NPN-Transistor, 0.05A, 2-8H1A, 150V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-8H1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kosten): 2.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 150V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3423. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 08:25.