NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V - 2SA1370

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V - 2SA1370. NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. C(in): 1.7pF. Kosten): 2.6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. VCBO: 200V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Funktion: Video. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 08:25.