Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V - 2SB1123T

NPN-Transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V - 2SB1123T
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NPN-Transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V - 2SB1123T. NPN-Transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Mittlere Leistung, Magnet-, Relais- und Aktuatortreiber und DC/DC-Module. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code BF. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BF. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1623T. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Originalprodukt vom Hersteller Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 22:25.

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2SA1213Y

2SA1213Y

NPN-Transistor, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenb...
2SA1213Y
NPN-Transistor, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-5K1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 40pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: NY. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Spec info: Siebdruck / SMD-Code NY. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
2SA1213Y
NPN-Transistor, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-5K1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 40pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: NY. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Spec info: Siebdruck / SMD-Code NY. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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