NPN-Transistor, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V - 2SB1132

NPN-Transistor, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V - 2SB1132. NPN-Transistor, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89 (SC-62). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 32V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 20pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 390. Minimaler hFE-Gewinn: 180. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BA. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: SMD BA0. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller ROHM. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 22:25.