NPN-Transistor, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V - 2SB1143

NPN-Transistor, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V - 2SB1143. NPN-Transistor, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126ML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 39pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: NF/SL. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1683. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 22:25.