NPN-Transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V - 2SB1204

NPN-Transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V - 2SB1204. NPN-Transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 95pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: High-Current switching, low-sat. Id(imp): 12A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 20 ns. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1804. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 22:25.