NPN-Transistor 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 140 MHz. Funktion: Allzweck. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B647. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD667. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Renesas Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 03:51