NPN-Transistor 2SA1013, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V

NPN-Transistor 2SA1013, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V

Menge
Stückpreis
1-4
0.32€
5-49
0.27€
50-99
0.24€
100-199
0.21€
200+
0.17€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 4314

NPN-Transistor 2SA1013, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 50 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1013. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2383. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Transistortyp: PNP. VCBO: 160V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37

Technische Dokumentation (PDF)
2SA1013
25 Parameter
Kollektorstrom
1A
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92M ( 9mm )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
160V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
50 MHz
Funktion
CTV-NF/VA
Halbleitermaterial
Silizium
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
A1013
Maximaler hFE-Gewinn
320
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
60
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.9W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) 2SC2383
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.5V
Technologie
„Epitaktischer Siliziumtransistor“
Transistortyp
PNP
VCBO
160V
Vebo
6V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild

Gleichwertige Produkte und/oder Zubehör für 2SA1013