NPN-Transistor 2SB647-SMD, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 140 MHz. Funktion: Allzweck. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 2A. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. Vebo: 5V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 03:51