NPN-Transistor, 1.5A, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - 2SB649A

NPN-Transistor, 1.5A, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - 2SB649A. NPN-Transistor, 1.5A, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kosten): 27pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 180V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD669A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 03:25.