NPN-Transistor, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V - 2SB688

NPN-Transistor, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V - 2SB688. NPN-Transistor, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 55. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B668. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD718. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 03:25.